Его можно применять в третьем поколении полупроводниковых приборов высокой мощности, лазеров большой мощности и микроэлектронных тепловых потоков.
теплопроводность | тектическ | 800~1500W/(m·K) |
монокристаллическ | 1500~2300W/(m·K) | |
Коэффициент теплового расширения | 10-6·K-1 |