2026-05-12
Успешное изготовление GaN-HEMT на 2-дюймовой подложке из поликристаллического алмаза способствует увеличению пропускной способности основного телекоммуникационного оборудования и снижению энергопотребления
В последние годы, в связи с ростом объемов информации в беспроводной с···